Nowa hipoteza wzrostu promieniowego i przebudowy kambium waskularnego roślin drzewiastych.
Abstrakt
Ogólnie przyjęty sposób opisu wzrostu promieniowego i przebudowy układu inicjałów kambium waskularnego nie wyjaśnia wystarczająco współwystępowania oraz roli takich zdarzeń, jak wzrost intruzywny i eliminacje inicjałów, a także procesu tworzenia struktury piętrowej oraz szybkiej zmiany orientacji inicjałów kambium. W niniejszym artykule poddano analizie udział wymienionych procesów komórkowych we wzroście promieniowym i obwodowym kambium oraz w przebudowie układu inicjałów, w oparciu o klasyczne, jak i najnowsze doniesienia. Przedstawiono podstawowe założenia nowej, tigmo-osmotycznej hipotezy wzrostu promieniowego, wyjaśniającej w spójny sposób występowanie wzrostu intruzywnego inicjałów jako zasadniczego mechanizmu przebudowy układu komórek kambium. Obserwacje ostatnich kilkunastu lat wskazują na występowanie wzrostu intruzywnego pomiędzy ścianami stycznymi, a nie promieniowymi, co było powszechnie przyjęte. Taka lokalizacja wzrostu intruzywnego wyjaśnia, dlaczego wzrost intruzywny i eliminacje są dwoma przejawami tego samego procesu. W przeciwieństwie do powszechnie przyjętego poglądu zarówno wzrost intruzywny, jak i eliminacje, nie biorą udziału we wzroście obwodowym i są związane wyłącznie z przebudową układu inicjałów kambium.Downloads
Download data is not yet available.